Vishay MOSFET, タイプPチャンネル, -30 V, -6.4 A, 0.0513 Ω, 4.5 nC, 6ピン, パッケージ:TSOP-6
- RS品番:
- 256-7359
- メーカー型番:
- SI3483DDV-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
ボリュームディスカウント対象商品
一括購入価格オプションを表示1 袋(1袋25個入り) 小計:*
¥2,450
(税抜)
¥2,695
(税込)
3,000円を超える注文については、送料無料
在庫あり
- 2,950 は海外在庫あり
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 25 - 125 | ¥98.00 | ¥2,450 |
| 150 - 1350 | ¥85.60 | ¥2,140 |
| 1375 - 1725 | ¥73.16 | ¥1,829 |
| 1750 - 2225 | ¥60.68 | ¥1,517 |
| 2250 + | ¥48.36 | ¥1,209 |
* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。
- RS品番:
- 256-7359
- メーカー型番:
- SI3483DDV-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプP | |
| 最大連続ドレイン電流Id | -6.4A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | -30V | |
| シリーズ | SI3483DDV | |
| パッケージ型式 | TSOP-6 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 6 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 0.0513Ω | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 4.5nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 順方向電圧 Vf | -1.2V | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 16V | |
| 最大許容損失Pd | 3W | |
| 動作温度 Max | +150°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 高さ | 1.1mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプP | ||
最大連続ドレイン電流Id -6.4A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds -30V | ||
シリーズ SI3483DDV | ||
パッケージ型式 TSOP-6 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 6 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.0513Ω | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 4.5nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
順方向電圧 Vf -1.2V | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 16V | ||
最大許容損失Pd 3W | ||
動作温度 Max +150°C | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
高さ 1.1mm | ||
自動車規格 なし | ||
Vishay SI3483DDVシリーズMOSFET、最大消費電力3W、最大ドレインソース電圧-30V - SI3483DDV-T1-GE3
このPチャンネルMOSFETは、コンパクトなアセンブリの電子電力制御用に設計された表面実装スイッチングトランジスタです。幅広い温度範囲で動作し、適度な電流処理と効率的な伝導を必要とする低電圧用途に適しています。このデバイスはTSOP-6パッケージで、標準的なRoHS製造環境に適合します。
特長:
• 低Rds(on) 0.0513Ωにより、導通損失を低減
• 最大連続ドレイン電流 -6.4A で中程度の負荷電流をサポート
• ドレインソース電圧定格 -30V により低電圧スイッチングを実現
• 最大16VのVgsに対応するゲートしきい値により、柔軟な駆動範囲を実現
• 標準ゲート充電4.5nCにより、高速スイッチングを実現し、効率を向上
• 3Wの消費電力により熱負荷を制限し、コンパクトな設計を実現
• 最大連続ドレイン電流 -6.4A で中程度の負荷電流をサポート
• ドレインソース電圧定格 -30V により低電圧スイッチングを実現
• 最大16VのVgsに対応するゲートしきい値により、柔軟な駆動範囲を実現
• 標準ゲート充電4.5nCにより、高速スイッチングを実現し、効率を向上
• 3Wの消費電力により熱負荷を制限し、コンパクトな設計を実現
用途
• ポータブル電子機器の逆バッテリ保護に使用
• 配電レールの負荷スイッチングに最適
• バッテリ管理システムのハイサイドスイッチングに最適
• USB電源パス選択回路に使用可能
• 低電圧システムのモータドライバゲートと併用
• 配電レールの負荷スイッチングに最適
• バッテリ管理システムのハイサイドスイッチングに最適
• USB電源パス選択回路に使用可能
• 低電圧システムのモータドライバゲートと併用
デバイスは、動作中にどのような極端な温度条件に耐えることができますか?
-55°C~+150°Cまで動作可能で、過酷な環境や高温の基板環境での使用が可能です。
ピン数と実装方式はどのような仕様ですか?
このパッケージは6ピンを備え、埋め込まれた基板への表面実装を目的としています。
どのようなチャンネルタイプと導通極性が期待されるのでしょうか?
このトランジスタはPチャンネルデバイスであるため、ソースとドレインの役割はPタイプのスイッチング構成に対応します。
これは自動車規格要件に適合しますか?
自動車規格のコンポーネントとして指定されておらず、特定の自動車認定基準を満たすとは考えられません。
関連ページ
- Vishay MOSFET -30 V 0.0513 Ω 6ピン, パッケージ:TSOP-6
- Vishay MOSFET 20 V 1.4 Ω パッケージ:TSOP-6
- Vishay MOSFET 20 V 1.4 Ω パッケージ:TSOP-6
- Vishay MOSFET 20 V 51 mΩ 6ピン, パッケージ:TSOP
- Vishay MOSFET 40 V 1.4 Ω パッケージ:TSOP-6
- Vishay MOSFET 60 V 0.023 Ω 6ピン, パッケージ:TSOP-6
- Vishay MOSFET -150 V 0.79 Ω 6ピン, パッケージ:TSOP-6
- Vishay シングルMOSFET 30 V 0.0192 Ω 6ピン, パッケージ:TSOP-6
