Vishay MOSFET, タイプPチャンネル, -30 V, -6.4 A, 0.0513 Ω, 4.5 nC, 6ピン, パッケージ:TSOP-6

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梱包形態
RS品番:
256-7359
メーカー型番:
SI3483DDV-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプP

最大連続ドレイン電流Id

-6.4A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

-30V

シリーズ

SI3483DDV

パッケージ型式

TSOP-6

取付タイプ

表面

ピン数

6

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.0513Ω

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

4.5nC

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

-1.2V

最大ゲートソース電圧Vgs

16V

最大許容損失Pd

3W

動作温度 Max

+150°C

規格 / 承認

RoHS

高さ

1.1mm

自動車規格

なし

Vishay SI3483DDVシリーズMOSFET、最大消費電力3W、最大ドレインソース電圧-30V - SI3483DDV-T1-GE3


このPチャンネルMOSFETは、コンパクトなアセンブリの電子電力制御用に設計された表面実装スイッチングトランジスタです。幅広い温度範囲で動作し、適度な電流処理と効率的な伝導を必要とする低電圧用途に適しています。このデバイスはTSOP-6パッケージで、標準的なRoHS製造環境に適合します。

特長:


• 低Rds(on) 0.0513Ωにより、導通損失を低減
• 最大連続ドレイン電流 -6.4A で中程度の負荷電流をサポート
• ドレインソース電圧定格 -30V により低電圧スイッチングを実現
• 最大16VのVgsに対応するゲートしきい値により、柔軟な駆動範囲を実現
• 標準ゲート充電4.5nCにより、高速スイッチングを実現し、効率を向上
• 3Wの消費電力により熱負荷を制限し、コンパクトな設計を実現

用途


• ポータブル電子機器の逆バッテリ保護に使用
• 配電レールの負荷スイッチングに最適
• バッテリ管理システムのハイサイドスイッチングに最適
• USB電源パス選択回路に使用可能
• 低電圧システムのモータドライバゲートと併用

デバイスは、動作中にどのような極端な温度条件に耐えることができますか?


-55°C~+150°Cまで動作可能で、過酷な環境や高温の基板環境での使用が可能です。

ピン数と実装方式はどのような仕様ですか?


このパッケージは6ピンを備え、埋め込まれた基板への表面実装を目的としています。

どのようなチャンネルタイプと導通極性が期待されるのでしょうか?


このトランジスタはPチャンネルデバイスであるため、ソースとドレインの役割はPタイプのスイッチング構成に対応します。

これは自動車規格要件に適合しますか?


自動車規格のコンポーネントとして指定されておらず、特定の自動車認定基準を満たすとは考えられません。

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