Vishay MOSFET, タイプPチャンネル -150 V, -1.4 A, 表面, 6-Pin パッケージTSOP-6
- RS品番:
- 256-7350
- メーカー型番:
- SI3437DV-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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- RS品番:
- 256-7350
- メーカー型番:
- SI3437DV-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプP | |
| 最大連続ドレイン電流Id | -1.4A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | -150V | |
| パッケージ型式 | TSOP-6 | |
| シリーズ | SI3437DV | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 6 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 0.79Ω | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 3.2W | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 8nC | |
| 順方向電圧 Vf | -1.2V | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20V | |
| 動作温度 Max | +150°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 高さ | 1.1mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプP | ||
最大連続ドレイン電流Id -1.4A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds -150V | ||
パッケージ型式 TSOP-6 | ||
シリーズ SI3437DV | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 6 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.79Ω | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 3.2W | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 8nC | ||
順方向電圧 Vf -1.2V | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20V | ||
動作温度 Max +150°C | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
高さ 1.1mm | ||
自動車規格 なし | ||
Vishay SI3437DVシリーズMOSFET、150 Vドレインソース電圧、0.79 Ωドレインソース抵抗 - SI3437DV-T1-GE3
このpチャンネルMOSFETは、電子システムの高電圧スイッチングおよび電力管理用途向けの表面実装パワートランジスタです。産業用および商業用機器で使用する幅広い温度範囲で動作するように設計されており、負ドレイン環境で正のゲートソースしきい値を必要とする用途にゲート制御された伝導を提供します。
特長：
• 高定格電圧により、電源回路で150 Vでスイッチング可能 • 低オン抵抗により、0.79 Ωの導通損失を最小限に抑制 • 連続電流容量により、最大1.4 Aの持続負荷をサポート • 標準ゲート充電8 nCにより、効率的なゲートドライブと高速スイッチングを実現 • 最大消費電力3.2 Wにより、コンパクトな設計での熱バジェットを実現 • 20 Vのゲートソース耐性により、制御ステージの堅牢なドライブマージンを実現
用途
• 産業用コントローラの同期負荷スイッチングに最適 • 電力管理システムの極性およびハイサイドスイッチングに最適 • 補助車載用電子機器のバッテリ管理に使用 • 低～中電流DC-DCコンバータステージに使用可能 • 高さが重要なコンパクトな表面実装アセンブリで使用
頑丈な動作には、どのような熱環境に耐えることができますか?
このデバイスは、-55 °Cから+150 °Cまで動作する定格で、幅広い環境および高いジャンクション条件での使用が可能です。
パッケージは基板レベルのレイアウトにどのように影響しますか?
6ピンのTSOP-6表面実装パッケージにより、小型フットプリント電源設計のコンパクトな配置と熱伝導経路を実現します。
ゲートドライブの要件について考慮すべき点は何ですか?
ゲートはソースに対して±20 Vの範囲内で駆動する必要があり、標準的な8 nCのゲート電荷は、必要なスイッチング速度を実現するためのドライバサイズを示します。
このデバイスは、連続電気負荷下でどのように性能を発揮しますか?
最大連続ドレイン電流は1.4 A、消費電力は3.2 Wで、基板銅面積やあらゆるヒートシンクに使用する必要があります。
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