Vishay MOSFET, タイプPチャンネル, -150 V, -1.4 A, 0.79 Ω, 8 nC, 6ピン, パッケージ：TSOP-6

RS品番:: 256-7350
メーカー型番:: SI3437DV-T1-GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

Vishay MOSFET, タイプPチャンネル, -150 V, -1.4 A, 0.79 Ω, 8 nC, 6ピン, パッケージ：TSOP-6

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RS品番:: 256-7350
メーカー型番:: SI3437DV-T1-GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

データシート

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すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	Vishay
	チャンネルタイプ	タイプP
	プロダクトタイプ	MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id	-1.4A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	-150V
	シリーズ	SI3437DV
	パッケージ型式	TSOP-6
	取付タイプ	表面
	ピン数	6
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	0.79Ω
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	8nC
	最大許容損失Pd	3.2W
	順方向電圧 Vf	-1.2V
	動作温度 Min	-55°C
	最大ゲートソース電圧Vgs	20V
	動作温度 Max	+150°C
	規格 / 承認	RoHS
	高さ	1.1mm
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランド Vishay
	チャンネルタイプタイプP
	プロダクトタイプ MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id -1.4A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds -150V
	シリーズ SI3437DV
	パッケージ型式 TSOP-6
	取付タイプ表面
	ピン数 6
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.79Ω
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 8nC
	最大許容損失Pd 3.2W
	順方向電圧 Vf -1.2V
	動作温度 Min -55°C
	最大ゲートソース電圧Vgs 20V
	動作温度 Max +150°C
	規格 / 承認 RoHS
	高さ 1.1mm
	自動車規格なし

Datasheet - SI3437DV-T1-GE3

Vishay SI3437DVシリーズMOSFET、最大消費電力3.2W、最大ドレインソース電圧150V - SI3437DV-T1-GE3

このPチャンネルMOSFETは、コンパクトな電子アセンブリの高電圧スイッチングおよび制御用に設計された表面実装型トランジスタです。幅広い熱スパンで動作するため、温度変動が大きい環境に適しており、低プロファイルパッケージで制御されたゲート電荷と中程度の連続電流処理を必要とする回路設計を目的としています。

特長：

• 150V ドレイン容量により、高電圧スイッチング用途に対応
• 0.79Ωオン抵抗により、動作中の導通損失を低減
• 連続ドレイン電流 1.4A により中程度の負荷電流に対応
• 8nC の標準ゲート電荷により、予測可能なスイッチング挙動が可能
• 3.2Wの消費電力により、中程度の熱負荷に対応
• RoHS指令に準拠し、環境物質制限に適合

用途

• 電源の高電圧負荷スイッチングに最適
• バッテリ保護および逆極性回路に最適
• 表面実装コンポーネントを必要とするコンパクトコンバータで使用
• 産業用制御における信号レベル切り替えに使用可能
• 熱変動が求められる家電製品に最適

コンパクトボードにはどのような取り付け方法がありますか?

TSOP-6表面実装パッケージで提供されているため、パッドレイアウトはTSOP-6フットプリントの推奨に従い、熱の拡散に十分な銅を許容する必要があります。

ゲートドライブはスイッチング性能にどのように影響しますか?

デバイスが8nCの標準ゲート電荷を発生するため、ゲートドライブの大きさとスルーレートはスイッチング損失に影響を与えます。

ドライバの選択は、必要な立ち上がり /立ち下がり時間に適合する必要があります。

動作時にどの程度の温度範囲に耐えられますか？

このデバイスは、-55°C～+150°Cの範囲で動作するように設計されており、周囲温度とジャンクション温度の大きな変動がある用途に対応します。

自動車の統合に制限はありますか?

この部品は自動車規格に準拠していないため、認証済みの自動車グレードのコンポーネントが必要な場合は選択しないでください。