Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 30 V, 100 A, 表面, 8-Pin パッケージPQFN
- RS品番:
- 257-5527
- メーカー型番:
- IRFH5301TRPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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￥283,940.00
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個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 4000 - 4000 | ￥70.985 | ￥283,940 |
| 8000 - 36000 | ￥69.941 | ￥279,764 |
| 40000 - 56000 | ￥68.898 | ￥275,592 |
| 60000 - 76000 | ￥67.854 | ￥271,416 |
| 80000 + | ￥66.81 | ￥267,240 |
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- RS品番:
- 257-5527
- メーカー型番:
- IRFH5301TRPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 100A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 30V | |
| シリーズ | HEXFET | |
| パッケージ型式 | PQFN | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 1.85mΩ | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 37nC | |
| 最大許容損失Pd | 110W | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 順方向電圧 Vf | 1V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 長さ | 6mm | |
| 高さ | 0.9mm | |
| 幅 | 5 mm | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 100A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 30V | ||
シリーズ HEXFET | ||
パッケージ型式 PQFN | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 1.85mΩ | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 37nC | ||
最大許容損失Pd 110W | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
順方向電圧 Vf 1V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
動作温度 Max 150°C | ||
長さ 6mm | ||
高さ 0.9mm | ||
幅 5 mm | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
自動車規格 なし | ||
Infineon strongIRFETパワーMOSFETファミリは、低RDS及び高電流性能に最適化されています。このデバイスは、性能と耐久性を必要とする低周波数アプリケーションに最適です。この包括的なポートフォリオは、 DC モータ、バッテリ管理システム、インバータ、 DC-DC コンバータなど、幅広いアプリケーションに対応します。
業界標準の表面実装パワーパッケージ
JEDEC規格に準拠した製品認定
以下のスイッチング用途向けに最適化されたシリコン <100 kHz
以前のシリコン世代に比べてボディダイオードがソフト
幅広いポートフォリオを用意