Infineon MOSFET, タイプNチャンネル, 55 V, 1.9 A, 0.16 Ω, 7 nC, パッケージ:SOT-223

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RS品番:
257-5538
Distrelec 品番:
304-40-532
メーカー型番:
IRFL014NTRPBF
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

1.9A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

55V

パッケージ型式

SOT-223

シリーズ

HEXFET Fifth Generation

取付タイプ

表面

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.16Ω

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

7nC

最大許容損失Pd

2.1W

順方向電圧 Vf

1V

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

Lead-Free

自動車規格

なし

Infineon MOSFETは、国際的な整流器の第5世代HEXFETで、高度な処理技術を利用し極めて低い値を実現します。

幅広いSOAに対応する平面セル構造

ディストリビューションパートナーからの幅広い利用可能性に最適化

JEDEC規格に準拠した製品認定

以下のスイッチング用途向けに最適化されたシリコン <100 kHz

業界標準の表面実装パッケージ

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