型番

Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 55 V, 1.9 A, 表面パッケージSOT-223

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仕様

データシート

その他

詳細情報

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	ブランドインフィニオン
	プロダクトタイプ MOSFET
	チャンネルタイプタイプN
	最大連続ドレイン電流Id 1.9A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 55V
	シリーズ HEXFET Fifth Generation
	パッケージ型式 SOT-223
	取付タイプ表面
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.16Ω
	動作温度 Min -55°C
	最大ゲートソース電圧Vgs 20 V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 7nC
	最大許容損失Pd 2.1W
	順方向電圧 Vf 1V
	動作温度 Max 150°C
	規格 / 承認 Lead-Free
	自動車規格なし

Infineon MOSFETは、国際的な整流器の第5世代HEXFETで、高度な処理技術を利用し極めて低い値を実現します。

幅広いSOAに対応する平面セル構造

ディストリビューションパートナーからの幅広い利用可能性に最適化

JEDEC規格に準拠した製品認定

以下のスイッチング用途向けに最適化されたシリコン <100 kHz

業界標準の表面実装パッケージ

Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 55 V, 1.9 A, 表面 パッケージSOT-223