型番

Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 55 V, 1.9 A, 表面パッケージSOT-223, IRFL014NTRPBF

ボリュームディスカウント対象商品

1 袋(1袋10個入り) 小計：*

￥693.00

(税抜)

￥762.30

(税込)

在庫情報に現在アクセスできません - 後ほどご確認ください

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

仕様

データシート

その他

詳細情報

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

	すべて選択
	ブランドインフィニオン
	チャンネルタイプタイプN
	プロダクトタイプ MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id 1.9A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 55V
	パッケージ型式 SOT-223
	シリーズ HEXFET Fifth Generation
	取付タイプ表面
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.16Ω
	最大許容損失Pd 2.1W
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 7nC
	順方向電圧 Vf 1V
	動作温度 Min -55°C
	最大ゲートソース電圧Vgs 20 V
	動作温度 Max 150°C
	規格 / 承認 Lead-Free
	自動車規格なし

Infineon MOSFETは、国際的な整流器の第5世代HEXFETで、高度な処理技術を利用し極めて低い値を実現します。

幅広いSOAに対応する平面セル構造

ディストリビューションパートナーからの幅広い利用可能性に最適化

JEDEC規格に準拠した製品認定

以下のスイッチング用途向けに最適化されたシリコン <100 kHz

業界標準の表面実装パッケージ

Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 55 V, 1.9 A, 表面 パッケージSOT-223, IRFL014NTRPBF