Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 85 V, 42 A, 表面 パッケージTO-252
- RS品番:
- 257-5542
- メーカー型番:
- IRFR2407TRPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 2000 - 2000 | ￥85.437 | ￥170,874 |
| 4000 - 18000 | ￥84.573 | ￥169,146 |
| 20000 - 28000 | ￥82.887 | ￥165,774 |
| 30000 - 38000 | ￥81.234 | ￥162,468 |
| 40000 + | ￥79.608 | ￥159,216 |
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- RS品番:
- 257-5542
- メーカー型番:
- IRFR2407TRPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 42A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 85V | |
| パッケージ型式 | TO-252 | |
| シリーズ | HEXFET | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 26mΩ | |
| 順方向電圧 Vf | 1.3V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 74nC | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 最大許容損失Pd | 110W | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 42A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 85V | ||
パッケージ型式 TO-252 | ||
シリーズ HEXFET | ||
取付タイプ 表面 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 26mΩ | ||
順方向電圧 Vf 1.3V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 74nC | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
最大許容損失Pd 110W | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
自動車規格 なし | ||
Infineon IR MOSFETファミリのパワーMOSFETは、実績のあるシリコンプロセスを採用し、DCモータ、インバータ、SMPS、照明、負荷スイッチ、バッテリ駆動などのさまざまな用途をサポートするための幅広いデバイスポートフォリオを設計者に提供します。このデバイスには、さまざまな表面実装及びスルーホールパッケージが用意されており、業界標準のフットプリントで設計が簡単です。
幅広いSOAに対応する平面セル構造
ディストリビューションパートナーからの幅広い利用可能性に最適化
JEDEC規格に準拠した製品認定
以下のスイッチング用途向けに最適化されたシリコン <100 kHz
業界標準の表面実装パッケージ