Infineon MOSFET, Nチャンネル, 150 V, 33 A, 42 mΩ, 26 nC, パッケージ：TO-252
- RS品番:
- 257-5546
- メーカー型番:
- IRFR4615TRLPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 257-5546
- メーカー型番:
- IRFR4615TRLPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | N | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 33A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 150V | |
| パッケージ型式 | TO-252 | |
| シリーズ | HEXFET | |
| 取付タイプ | PCBマウント | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 42mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 26nC | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20V | |
| 最大許容損失Pd | 144W | |
| 順方向電圧 Vf | 1.3V | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ N | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 33A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 150V | ||
パッケージ型式 TO-252 | ||
シリーズ HEXFET | ||
取付タイプ PCBマウント | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 42mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 26nC | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20V | ||
最大許容損失Pd 144W | ||
順方向電圧 Vf 1.3V | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
自動車規格 なし | ||
Infineon HEXFETシリーズMOSFET、最大ドレイン-ソース電圧150V、最大連続ドレイン電流33A - IRFR4615TRLPBF
このMOSFETは、電源スイッチングの基板実装用に設計された高電圧Nチャンネルエンハンスメントモードトランジスタです。広い周囲温度範囲で動作しながら大きな連続電流を処理し、制御されたゲートドライブと熱管理が必要な場所に適しています。
特長および利点：
• 42mΩ Rds(on)により、導通損失を低減
• 150V Vdsにより高電圧スイッチングが可能
• 33Aの連続電流により、高負荷に対応
• 144Wの消費電力により、持続的な動作を実現
• 26nCゲート充電により、応答性の高いスイッチングを実現
• 150V Vdsにより高電圧スイッチングが可能
• 33Aの連続電流により、高負荷に対応
• 144Wの消費電力により、持続的な動作を実現
• 26nCゲート充電により、応答性の高いスイッチングを実現
用途
• 高電圧DC-DCコンバータに最適
• インバーターの電源スイッチングに最適
• 高電流を必要とするモータードライブステージで使用
• 通信電源に使用可能
• 産業用電源管理モジュールに最適
• インバーターの電源スイッチングに最適
• 高電流を必要とするモータードライブステージで使用
• 通信電源に使用可能
• 産業用電源管理モジュールに最適
どのようなゲート駆動制限を遵守する必要がありますか?
ゲート対ソース定格は±20 Vなので、損傷を防止するためにゲートドライブの振幅はその範囲内に留まる必要があります。
熱性能は取り付けの選択にどのように影響しますか?
144 Wの消散定格により、持続負荷時のジャンクション温度を管理するために、効果的な基板銅エリア又はヒートシンクが必要です。
このデバイスはどのような極端な温度に耐えられますか?
-55°C～175°Cの温度範囲で動作するため、温度変動が広い環境での使用が可能です。
このコンポーネントは自動車認定に適していますか?
自動車グレードとして指定されていません
適合規格はRoHSのみです。
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