Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 75 V, 120 A, PCBマウント パッケージTO-263, IRFB3307PBF
- RS品番:
- 257-5799
- メーカー型番:
- IRFB3307PBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
N
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|---|---|---|
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| 10 - 18 | ¥353.50 | ¥707 |
| 20 - 48 | ¥346.50 | ¥693 |
| 50 - 98 | ¥339.50 | ¥679 |
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- RS品番:
- 257-5799
- メーカー型番:
- IRFB3307PBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 120A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 75V | |
| シリーズ | HEXFET | |
| パッケージ型式 | TO-263 | |
| 取付タイプ | PCBマウント | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 6.3mΩ | |
| 順方向電圧 Vf | 1.3V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 200W | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 120A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 75V | ||
シリーズ HEXFET | ||
パッケージ型式 TO-263 | ||
取付タイプ PCBマウント | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 6.3mΩ | ||
順方向電圧 Vf 1.3V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 200W | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 No | ||
自動車規格 なし | ||
Infineon strongIRFETパワーMOSFETファミリは、低RDS及び高電流性能に最適化されています。このデバイスは、性能と耐久性を必要とする低周波数アプリケーションに最適です。この包括的なポートフォリオは、 DC モータ、バッテリ管理システム、インバータ、 DC-DC コンバータなど、幅広いアプリケーションに対応します。
ディストリビューパートナーから幅広い利用できるように最適化されています。
JEDEC規格に準拠した製品認定、
業界標準表面実装パッケージ、
高定格電流
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
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