Infineon MOSFET, タイプPチャンネル -30 V, -21 A, 表面, 8-Pin パッケージPQFN, IRFH9310TRPBF
- RS品番:
- 257-5834
- メーカー型番:
- IRFH9310TRPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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|---|---|---|
| 5 - 45 | ￥247.80 | ￥1,239 |
| 50 - 95 | ￥222.20 | ￥1,111 |
| 100 - 495 | ￥172.20 | ￥861 |
| 500 - 1995 | ￥142.20 | ￥711 |
| 2000 + | ￥112.60 | ￥563 |
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- RS品番:
- 257-5834
- メーカー型番:
- IRFH9310TRPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | タイプP | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | -21A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | -30V | |
| シリーズ | HEXFET | |
| パッケージ型式 | PQFN | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 3.7mΩ | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 58nC | |
| 最大許容損失Pd | 3.1W | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 順方向電圧 Vf | -1.2V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 幅 | 6 mm | |
| 長さ | 5mm | |
| 高さ | 0.39mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ タイプP | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id -21A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds -30V | ||
シリーズ HEXFET | ||
パッケージ型式 PQFN | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 3.7mΩ | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 58nC | ||
最大許容損失Pd 3.1W | ||
動作温度 Min -55°C | ||
順方向電圧 Vf -1.2V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
幅 6 mm | ||
長さ 5mm | ||
高さ 0.39mm | ||
自動車規格 なし | ||
Infineon strongIRFETパワーMOSFETファミリは、低RDS及び高電流性能に最適化されています。このデバイスは、性能と耐久性を必要とする低周波数アプリケーションに最適です。この包括的なポートフォリオは、 DC モータ、バッテリ管理システム、インバータ、 DC-DC コンバータなど、幅広いアプリケーションに対応します。
業界標準の表面実装パワーパッケージ
JEDEC規格に準拠した製品認定
以下のスイッチング用途向けに最適化されたシリコン <100 kHz
以前のシリコン世代に比べてボディダイオードがソフト
幅広いポートフォリオを用意