Infineon MOSFET, Nチャンネル, 75 V, 17 A, 5.9 mΩ, 65 nC, パッケージ:PQFN
- RS品番:
- 257-9371
- メーカー型番:
- IRFH5007TRPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 257-9371
- メーカー型番:
- IRFH5007TRPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧(Vds) | 75 V | |
| 最大連続ドレイン電流(Id) | 17 A | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗(Rds) | 5.9 mΩ | |
| 標準ゲートチャージ (Qg) @ Vgs | 65 nC | |
| パッケージ型式 | PQFN | |
| 自動車規格 | なし | |
| 順方向電圧 (Vf) | 1.3 V | |
| 長さ | 6 mm | |
| 最大ゲートソース電圧(Vgs) | 25 V | |
| 動作温度 (Max) | 150 °C | |
| 最大許容損失(Pd) | 250 W | |
| 動作温度 (Min) | -55 °C | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| シリーズ | HEXFET | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 幅 | 5 mm | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大ドレイン-ソース間電圧(Vds) 75 V | ||
最大連続ドレイン電流(Id) 17 A | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗(Rds) 5.9 mΩ | ||
標準ゲートチャージ (Qg) @ Vgs 65 nC | ||
パッケージ型式 PQFN | ||
自動車規格 なし | ||
順方向電圧 (Vf) 1.3 V | ||
長さ 6 mm | ||
最大ゲートソース電圧(Vgs) 25 V | ||
動作温度 (Max) 150 °C | ||
最大許容損失(Pd) 250 W | ||
動作温度 (Min) -55 °C | ||
取付タイプ 表面 | ||
シリーズ HEXFET | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
幅 5 mm | ||
The Infineon IRFH series is the 75V single n channel strong IRFET power mosfet in a PQFN 5x6 package. The strong IRFET power mosfet family is optimized for low RDS (on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including dc motors, battery management systems, inverters, and dc-dc converters.
Industry standard surface mount power package
Product qualification according to JEDEC standard
Silicon optimized for applications switching below 100 kHz
Softer body diode compared to previous silicon generation
Wide portfolio available
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