Infineon MOSFET, Nチャンネル, 40 V, 159 A, 2.4 mΩ, 92 nC, パッケージ:PQFN

ボリュームディスカウント対象商品
一括購入価格オプションを表示

1 袋(1袋5個入り) 小計:*

¥1,750

(税抜)

¥1,925

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 3,915 は海外在庫あり
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。

個
単価
購入単位毎合計*
5 - 120¥350.00¥1,750
125 - 1195¥305.80¥1,529
1200 - 1595¥262.20¥1,311
1600 - 3195¥218.80¥1,094
3200 +¥174.00¥870

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
257-9382
メーカー型番:
IRFH7440TRPBF
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

N

最大連続ドレイン電流Id

159A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

40V

シリーズ

HEXFET

パッケージ型式

PQFN

取付タイプ

表面

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

2.4mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

20V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

92nC

順方向電圧 Vf

900mV

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

104W

動作温度 Max

150°C

高さ

900μm

幅

6mm

長さ

5mm

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

なし

Infineon HEXFETシリーズMOSFET、最大ドレイン-ソース電圧40V、最大連続ドレイン電流159A - IRFH7440TRPBF


このMOSFETは、表面実装用途での高電流スイッチング向けに設計されたエンハンスメントモードNチャンネルパワートランジスタです。幅広い温度範囲で動作し、RoHS要件に適合しているため、自動車認証制限なしでコンパクトで低抵抗スイッチングが必要な環境に適しています。

特長および利点:


• 2.4mΩ Rds(on)により導通損失を低減
• 104W Pdにより、持続的な電力処理が可能
• 159Aの連続電流により、高負荷に対応
• 92 nCゲート充電により、ドライブ速度と制御のバランスを維持
• 最大20V Vgsによりゲート過電圧保護を実現

用途


• 高電流DC電力段に最適
• スイッチング電源に最適
• コンパクトな熱管理システムと併用
• モータードライブインバーターレッグに使用可能
• コンバータの同期整流に使用

どのような取り付けスタイルが必要ですか?


表面実装用のPQFNパッケージで提供されます。

動作時の許容温度範囲はどのくらいですか?


定格動作温度範囲は-55°C~150°Cです。

順方向電圧は効率にどのように影響しますか?


0.9Vの順方向電圧により、導通時の電圧降下を抑制し、システム全体の損失に影響を与えます。

自動車認定設計に適していますか?


自動車規格に適合していないため、自動車認証が必要な場所では選択しないでください。

関連ページ

お得な情報をいち早く受け取ろう

Emailアドレス

お客様の個人情報は、当社のプライバシーポリシーに従って慎重に取り扱いを行います。