Infineon MOSFET, Nチャンネル, 30 V, 21 A, 4.5 mΩ, 30 nC, 8ピン, パッケージ:SO-8

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RS品番:
257-9324
メーカー型番:
IRF7862TRPBF
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

N

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

21A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

30V

シリーズ

HEXFET

パッケージ型式

SO-8

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

4.5mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

30nC

最大ゲートソース電圧Vgs

20V

順方向電圧 Vf

1V

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

2.5W

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

なし

Infineon HEXFETシリーズMOSFET、最大ドレイン-ソース電圧30V、最大連続ドレイン電流21A - IRF7862TRPBF


SO-8パッケージに収められたこのNチャンネルエンハンスメントモードMOSFETは、コンパクトなアセンブリの高電流スイッチング向けに設計された表面実装パワートランジスタです。幅広い環境範囲で動作し、RoHSに準拠しているため、コンパクトで鉛フリーのSMD電源デバイスを必要とする用途に適しています。

特長および利点:


• 4.5mΩのオン抵抗(RDS(on))により、負荷時の導通損失を低減
• 30V Vdsにより、中電圧電源スイッチング機能を実現
• 21Aの連続ドレイン電流により、高電流回路をサポート
• 標準30nCのゲート充電により、適度なスイッチング速度制御が可能
• 2.5Wの消費電力により、狭いスペースでの熱負荷を管理

用途


• DC配電モジュールに最適
• 基板レベルのモータドライバステージに最適
• 負荷スイッチング用の電圧レギュレータと併用
• バッテリ保護回路に使用可能
• コンパクトコンバータの電力管理に最適

ゲート電圧について、どのような制限を守る必要がありますか?


このデバイスは、ゲートとソースの間で±20 Vを超えてはならないため、ゲート誘電ストレスを防止します。

パッケージは熱処理にどのような影響を与えますか?


SO-8表面実装パッケージは、ヒートシンクを制限するため、基板銅およびサーマルバイアは、許容可能な2.5 Wの電力を消費するのに役立ちます。

どのような環境温度範囲に耐えられますか?


定格動作温度は-55°C~150°Cで、幅広い温度範囲での使用に適しています。

このデバイスは自動車認証に適していますか?


自動車規格に適合しているとは指定されておらず、自動車グレードであるとは考慮しないでください。

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