1 Infineon MOSFET デュアル, タイプNチャンネル, 21 A, 表面 30 V, 8-Pin エンハンスメント型 パッケージSO-8

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8000 - 36000¥57.787¥231,148
40000 - 56000¥57.091¥228,364
60000 - 76000¥56.411¥225,644
80000 +¥55.748¥222,992

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RS品番:
215-2587
メーカー型番:
IRF8734TRPBF
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

21A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

30V

シリーズ

HEXFET

パッケージ型式

SO-8

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

3.5mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

20nC

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

1V

最大許容損失Pd

2.5W

トランジスタ構成

デュアル

動作温度 Max

150°C

高さ

1.5mm

長さ

5mm

規格 / 承認

RoHS

1チップ当たりのエレメント数

1

自動車規格

なし

Infineon HEXFET パワー MOSFET シリーズは、 SO-8 パッケージに収容された最大ドレインソース電圧この製品は、ノートブックプロセッサ電源用の同期 MOSFET と、ネットワーキングシステムの絶縁型 DC-DC コンバータ用の同期整流器 MOSFET として使用できます。

低ゲートチャージ

アバランシェ電圧 / 電流を完全特性化

RG を 100 % テスト済み

無鉛

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