Infineon MOSFET, タイプNチャンネル -30 V, -12 A, 表面 パッケージSO-8
- RS品番:
- 257-9335
- メーカー型番:
- IRF9388TRPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 257-9335
- メーカー型番:
- IRF9388TRPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | -12A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | -30V | |
| パッケージ型式 | SO-8 | |
| シリーズ | HEXFET | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 11.9mΩ | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 18nC | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 25 V | |
| 順方向電圧 Vf | -1.2V | |
| 最大許容損失Pd | 2.5W | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id -12A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds -30V | ||
パッケージ型式 SO-8 | ||
シリーズ HEXFET | ||
取付タイプ 表面 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 11.9mΩ | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 18nC | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 25 V | ||
順方向電圧 Vf -1.2V | ||
最大許容損失Pd 2.5W | ||
動作温度 Min -55°C | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
自動車規格 なし | ||
Infineon IRFシリーズは、SO 8パッケージに収められた-30 V pチャンネル強力なIRFETパワーモスフェットです。強力なIRFETパワーmosfetファミリは、低RDS(オン)及び高電流性能に最適化されています。このデバイスは、性能と堅牢性を必要とする低周波数用途に最適です。この包括的なポートフォリオは、DCモータ、バッテリ管理システム、インバータ、DC-DCコンバータなどの幅広い用途に対応しています。
ディストリビューションパートナーからの幅広い利用可能性に最適化
JEDEC規格に準拠した製品認定
業界標準の表面実装パッケージ
100 kHz未満のスイッチング用途向けに最適化されたシリコン