Infineon MOSFET, Nチャンネル, 25 V, 58 A, 5 mΩ, 8ピン, パッケージ:TDSON
- RS品番:
- 259-1472
- メーカー型番:
- BSC050NE2LSATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 259-1472
- メーカー型番:
- BSC050NE2LSATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | N | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 58A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 25V | |
| シリーズ | BSC | |
| パッケージ型式 | TDSON | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 5mΩ | |
| チャンネルモード | N | |
| 順方向電圧 Vf | 1V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 28W | |
| 動作温度 Max | +150°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ N | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 58A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 25V | ||
シリーズ BSC | ||
パッケージ型式 TDSON | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 5mΩ | ||
チャンネルモード N | ||
順方向電圧 Vf 1V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 28W | ||
動作温度 Max +150°C | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
自動車規格 なし | ||
Infineon BSCシリーズMOSFET、最大ドレインソース電圧25V、最大消費電力28W - BSC050NE2LSATMA1
このMOSFETは、高電流用途向けに設計された表面実装Nチャンネルスイッチングデバイスです。幅広い温度範囲で動作し、8ピンTDSONパッケージで提供され、基板レベルのコンパクトな統合を実現します。このデバイスはRoHS要件に適合し、低伝導損失と効率的な熱処理が重要な電力管理用途向けです。
特長および利点:
• 5mΩ Rds(on)により、高電流スイッチングの導通損失を低減
• 58Aの連続ドレイン電流により、高負荷動作をサポート
• 28Wの消費電力により、高い熱スループットを実現
• 1V順方向電圧により、導通時の電圧降下を低減
• -55°C~+150°Cの定格温度により、動作温度能力を拡張
• 58Aの連続ドレイン電流により、高負荷動作をサポート
• 28Wの消費電力により、高い熱スループットを実現
• 1V順方向電圧により、導通時の電圧降下を低減
• -55°C~+150°Cの定格温度により、動作温度能力を拡張
用途
• モータ制御用SMDパワーMOSFETとして最適
• 5mΩ Rds(on)の高電流58A MOSFETを必要とするDC電源段で使用
• 定格25Vの表面実装TDSON MOSFETを使用したコンパクトな電源コンバータに最適
• 低RDS(on)電力MOSFET 28Wスイッチング回路に使用可能
• 5mΩ Rds(on)の高電流58A MOSFETを必要とするDC電源段で使用
• 定格25Vの表面実装TDSON MOSFETを使用したコンパクトな電源コンバータに最適
• 低RDS(on)電力MOSFET 28Wスイッチング回路に使用可能
どのようなピン数とパッケージを使用しますか?
表面実装用の8ピンTDSONパッケージで提供されます。
このデバイスは、自動車の仕様要件にどのように対応しますか?
自動車グレードのコンポーネントとして指定されていませんが、RoHS環境制限に適合しています。
どのようなチャンネル構成と極性が実装されていますか?
このデバイスは、ローサイドまたはハイサイドスイッチング配置にNチャンネル構成を採用しています。
動作時の温度制限は?
このデバイスの定格動作範囲は-55°C~+150°Cです。
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