Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 40 V, 49 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージTDSON

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RS品番:
911-4858
メーカー型番:
BSC093N04LSGATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

49A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

40V

パッケージ型式

TDSON

シリーズ

OptiMOS 3

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

13.7mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

2.5W

順方向電圧 Vf

1.2V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

8.6nC

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

No

長さ

6.35mm

高さ

1.1mm

5.35 mm

自動車規格

なし

COO(原産国):
MY

Infineon OptiMOS™ 3シリーズ MOSFET、最大連続ドレイン電流49A、最大電力損失2.5W - BSC093N04LSGATMA1


このMOSFETは、効率的な電力管理と制御のために設計されており、高性能を必要とするオートメーションや電気アプリケーションで重要な役割を果たしている。その統合は回路効率を高め、さまざまな環境におけるシステム全体の信頼性と応答性に貢献する。

特徴と利点


• 最大49Aの連続ドレイン電流を供給

• 40Vの電圧範囲で効果的に動作

• 低ドレイン・ソース抵抗が性能を向上

• 組み込みが容易な表面実装設計に対応

• 最高温度+150℃の高い熱安定性

• 広いゲートしきい値電圧範囲により、多様なアプリケーションに対応

用途


• 電力に最適 オートメーションとロボット工学

• 電気自動車充電システム

• 電源および変換作業に最適

• モーター制御回路やドライブに応用

• 効率的な信号管理のために電気通信で使用される

この装置はどのような負荷に効果的に対応できますか?


最大49Aまでの負荷を管理できるため、さまざまな業界の大電流アプリケーションに適している。

表面実装技術との互換性はありますか?


表面実装設計で、PCBへの取り付けが容易です。

この部品のゲート電圧の制限は?


このデバイスのゲート・ソース間電圧制限は-20V~+20Vで、回路設計の柔軟性を可能にする。

極端な温度条件下でも動作しますか?


また、-55℃~+150℃の温度範囲で動作するため、過酷な環境でも機能性を発揮する。

Infineon OptiMOS™3パワーMOSFET、最大40 V


OptiMOS™製品は、最も困難な用途にも対応できるよう高性能なパッケージに収納されています。このため、限られたスペースで最大限に柔軟性を発揮できます。 これらのInfineon製品は、コンピューティング用途における次世代の厳しい電圧調整規格のエネルギー効率と電力密度の要件に適合し、上回るように設計されています。

高速スイッチングMOSFET、SMPS用

DC/DCコンバータ用に最適化された技術

対象用途に対してJEDEC1に適合

Nチャンネル、ロジックレベル

優れたゲート電荷量 x R DS(on)製品(FOM)

超低オン抵抗 R DS(on)

鉛フリーめっき

MOSFETトランジスタ、Infineon


Infineonでは、CoolMOS、OptiMOS、StrongIRFETの各ファミリをはじめ、MOSFETデバイスの幅広く包括的な製品ラインを取り揃えています。効率、電力密度、及びコスト効果を高めるためにクラス最高の性能を実現しています。高い品質と強化された保護機能が求められる設計では、AEC-Q101車載用規格に適合するMOSFETが活用されます。

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