Infineon MOSFET, Nチャンネル, 40 V, 158 A, 2.7 mΩ, 31 nC, 8ピン, パッケージ:TSDSON

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RS品番:
258-0709
メーカー型番:
BSZ018N04LS6ATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

N

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

158A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

40V

シリーズ

BSZ

パッケージ型式

TSDSON

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

2.7mΩ

チャンネルモード

N

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

83W

順方向電圧 Vf

780mV

最大ゲートソース電圧Vgs

20V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

31nC

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

IEC 61249-2-21, RoHS

自動車規格

なし

Infineon BSZシリーズMOSFET、最大ドレイン-ソース電圧40V、最大連続ドレイン電流158A - BSZ018N04LS6ATMA1


このMOSFETは、コンパクトな電力段での高電流スイッチング用に設計された表面実装Nチャンネルトランジスタです。優れた連続ドレイン性能を発揮し、幅広い熱環境に適しています。このデバイスはRoHS要件に適合し、低プロファイル基板アセンブリ用の8ピンTSDSONパッケージで提供されます。

特長および利点:


• 超低Rds(on) 2.7mΩにより、導通損失を低減
• 83Wの高消費電力により、持続的な熱負荷を実現
• 標準ゲート電荷量 31 nC で効率的なスイッチング制御をサポート
• 0.78Vの低順方向電圧により、オン状態の電圧降下を低減
• -55°C~175°Cの幅広い動作温度範囲により、過酷な環境にも対応

用途


• DC-DCコンバータの40V 158A電力段に最適
• 電源における高電流SMD MOSFETの役割に最適
• TSDSON 8ピンフットプリントを必要とする表面実装レイアウトで使用
• コンパクトな高出力モジュールのスイッチングに使用可能

どのようなパッケージとピン数を使用しますか?


8ピンのTSDSONパッケージで提供されます。

設計者はどのようなゲート処理制限を遵守する必要がありますか?


このデバイスは、ゲートとソース間で最大20 Vの電圧に対応します。

さまざまな温度下でどのように性能を発揮しますか?


-55°C~175°Cの範囲で動作します。

このデバイスは自動車規格に適していますか?


自動車グレード規格に適合するとは指定されていません。

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