Infineon MOSFET, Nチャンネル, 100 V, 120 A, 2 mΩ, 195 nC, 3ピン, パッケージ:TO-263

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RS品番:
258-3785
メーカー型番:
IPB020N10N5LFATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

N

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

120A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

100V

シリーズ

iPB

パッケージ型式

TO-263

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

2mΩ

チャンネルモード

N

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

195nC

最大ゲートソース電圧Vgs

20V

順方向電圧 Vf

890mV

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

313W

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

RoHS, IEC 61249-2-21

自動車規格

なし

Infineon iPBシリーズMOSFET、最大ドレイン-ソース電圧100V、最大連続ドレイン電流120A - IPB020N10N5LFATMA1


このMOSFETは、要求の厳しい熱環境での表面実装電源スイッチング用に設計された高電流Nチャンネルパワートランジスタです。幅広い環境範囲で動作し、大きな連続ドレイン電流と適度なゲートドライブエネルギーを必要とする用途に対して強力な導通性能を発揮します。

特長および利点:


• 低オン抵抗により、高電流動作における導通損失を低減
• 高消費電力により、高消費電力でも持続的な負荷処理が可能
• 堅牢なドレインソース定格電圧により、最大100Vまでの安全なスイッチングを実現
• 大容量の連続ドレイン電流により、高電流システムに対応
• 適度なゲート充電により、スイッチング速度とゲートドライブの要求をバランスさせます。

用途


• 高電流DC配電ブロックに最適
• コンパクトシステムのスイッチング電源に最適
• 100V の許容差を必要とするモータードライバーと併用
• サーバーおよび通信電源ステージに使用可能
• 高温で動作する産業用コンバータに最適

どのような周囲温度に耐えられますか?


-55°C~150°Cの幅広い温度範囲で動作し、コールドスタートと高温の両方の動作をサポートします。

基板アセンブリ用にどのようにパッケージされていますか?


基板実装型電源設備向けのTO-263表面実装パッケージで提供されます。

スイッチング性能には、どのようなゲートドライブの考慮事項が適用されますか?


標準的な総ゲート電荷は195 nCで、ゲートドライバの電流とスイッチングタイミング要件を示します。

ゲートからソースへの移動には、どのような安全制限が適用されますか?


最大許容ゲート-ソース電圧は20 Vで、デバイスのストレスを回避するために超えてはなりません。

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