Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 150 V, 136 A N, 表面, 7-Pin パッケージTO-263
- RS品番:
- 258-3792
- メーカー型番:
- IPB060N15N5ATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 258-3792
- メーカー型番:
- IPB060N15N5ATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 136A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 150V | |
| シリーズ | iPB | |
| パッケージ型式 | TO-263 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 7 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 6mΩ | |
| チャンネルモード | N | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 順方向電圧 Vf | 0.9V | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 最大許容損失Pd | 250W | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 54.5nC | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | IEC 61249-2-21, RoHS | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 136A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 150V | ||
シリーズ iPB | ||
パッケージ型式 TO-263 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 7 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 6mΩ | ||
チャンネルモード N | ||
動作温度 Min -55°C | ||
順方向電圧 Vf 0.9V | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
最大許容損失Pd 250W | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 54.5nC | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 IEC 61249-2-21, RoHS | ||
自動車規格 なし | ||
InfineonのInfineon OptiMOS 5 150 VパワーMOSFETは、フォークリフトやeスクータなどの低電圧ドライブ、通信用途や太陽光発電用途に特に適しています。この新製品は、FOM gd及びFOM OSSを損なうことなく、RDS(on)及びQrrの突破的な低減を実現し、設計作業を効果的に削減し、システム効率を最適化します。さらに、超低逆回復電荷により、コミュニケーションの堅牢性が向上します。
低出力充電
超低逆回復充電
並列の低減
高電力密度設計
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