型番

Infineon MOSFET, タイプPチャンネル 40 V, 80 A エンハンスメント型, 表面パッケージTO-263, IPB80P04P4L06ATMA2

RS品番:: 258-3820
メーカー型番:: IPB80P04P4L06ATMA2
メーカー/ブランド名:: インフィニオン

Infineon MOSFET, タイプPチャンネル 40 V, 80 A エンハンスメント型, 表面パッケージTO-263, IPB80P04P4L06ATMA2

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RS品番:: 258-3820
メーカー型番:: IPB80P04P4L06ATMA2
メーカー/ブランド名:: インフィニオン

仕様

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その他

詳細情報

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すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	インフィニオン
	チャンネルタイプ	タイプP
	プロダクトタイプ	MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id	80A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	40V
	パッケージ型式	TO-263
	シリーズ	iPB
	取付タイプ	表面
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	40.7mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	順方向電圧 Vf	1.2V
	規格 / 承認	No
	自動車規格	AEC-Q101

	すべて選択
	ブランドインフィニオン
	チャンネルタイプタイプP
	プロダクトタイプ MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id 80A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 40V
	パッケージ型式 TO-263
	シリーズ iPB
	取付タイプ表面
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 40.7mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	順方向電圧 Vf 1.2V
	規格 / 承認 No
	自動車規格 AEC-Q101

Infineon OptiMOS-P2パワートランジスタは、Pチャンネルロジックレベル強化モードです。動作温度は175 °Cです。

AEC認定

MSL1: 最大260 °Cピークリフロー

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