Infineon MOSFET, タイプPチャンネル 40 V, 80 A エンハンスメント型, 表面 パッケージTO-263, IPB80P04P4L08ATMA2
- RS品番:
- 258-3823
- メーカー型番:
- IPB80P04P4L08ATMA2
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 258-3823
- メーカー型番:
- IPB80P04P4L08ATMA2
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプP | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 80A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 40V | |
| シリーズ | iPB | |
| パッケージ型式 | TO-263 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 40.7mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプP | ||
最大連続ドレイン電流Id 80A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 40V | ||
シリーズ iPB | ||
パッケージ型式 TO-263 | ||
取付タイプ 表面 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 40.7mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
規格 / 承認 No | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
Infineon OptiMOS-P2パワートランジスタは、スイッチング及び伝導電力損失が最小で、最高の熱効率を実現します。優れた品質と信頼性を備えた堅牢なパッケージです。
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