Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 211 A N, 表面 パッケージTO-263, IPBE65R050CFD7AATMA1

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梱包形態
RS品番:
258-3827
メーカー型番:
IPBE65R050CFD7AATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

211A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

650V

パッケージ型式

TO-263

シリーズ

iPB

取付タイプ

表面

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

40.7mΩ

チャンネルモード

N

順方向電圧 Vf

1.2V

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

Infineon CoolMOS C3Aテクノロジーは、PHEVやBEVなどの電気自動車分野における高システム電圧の要求を満たすように設計されています。

クラス最高の品質と信頼性

高い破壊電圧

高ピーク電流容量

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。


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