Infineon MOSFET650 V 211 A 表面実装パッケージPG-TO263

RS品番:: 258-3827
メーカー型番:: IPBE65R050CFD7AATMA1
メーカー/ブランド名:: Infineon

Infineon MOSFET650 V 211 A 表面実装パッケージPG-TO263

MOSFET・モスフェットの一覧へ

在庫切れ

単価：購入単位は個

￥1,893.00

(税抜)

￥2,082.30

(税込)

個	単価
1 - 29	￥1,893.00
30 - 299	￥1,838.00
300 - 399	￥1,482.00
400 - 799	￥1,277.00
800 +	￥1,235.00

RS品番:: 258-3827
メーカー型番:: IPBE65R050CFD7AATMA1
メーカー/ブランド名:: Infineon

データシート

Datasheet - IPBE65R050CFD7AATMA1

その他

詳細情報

Infineon CoolMOS C3Aテクノロジーは、PHEVやBEVなどの電気自動車分野における高システム電圧の要求を満たすように設計されています。

クラス最高の品質と信頼性
高い破壊電圧
高ピーク電流容量

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。

仕様

特性
最大連続ドレイン電流	211 A
最大ドレイン-ソース間電圧	650 V
パッケージタイプ	PG-TO263
実装タイプ	表面実装

関連ページ