Infineon MOSFET, タイプPチャンネル 650 V, 42 A N, 表面 パッケージTO-252, IPD60R210PFD7SAUMA1

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梱包形態
RS品番:
258-3852
メーカー型番:
IPD60R210PFD7SAUMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプP

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

42A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

650V

シリーズ

IPD

パッケージ型式

TO-252

取付タイプ

表面

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

210mΩ

チャンネルモード

N

順方向電圧 Vf

1.2V

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

Infineon 600 V CoolMOS PFD7スーパージャンクションMOSFETは、消費者用途向けのCoolMOS 7を補完します。TO-252 DPAKパッケージの600 V CoolMOS PFD7スーパージャンクションMOSFETは、210 mOhmのRDS(on)を備え、スイッチング損失が低くなっています。この製品には、堅牢なデバイスを実現する高速ボディダイオードが内蔵されています。高速ボディダイオードとインフィニオンの業界をリードするSMDパッケージにより、基板スペースを削減し、お客様の材料費を削減します。この製品ファミリは、超高電力密度及び最高効率の設計に合わせて設計されています。この製品は主に、超高密度充電器、アダプタ、低電力モータドライブに対応しています。600 V CoolMOS PFD7は、CoolMOS P7及びCE MOSFETテクノロジーよりも軽量及び全負荷効率が向上し、電力密度が1.8 W/インチ3増加します。

優れた切り替え耐久性

低EMI

幅広いパッケージポートフォリオ

BOMコスト削減と簡単な製造

堅牢性と信頼性

設計の微調整に適した部品を簡単に選択可能

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