Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 600 V, 4.7 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージPG-TO252-3, IPD60R1K0PFD7SAUMA1

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RS品番:
273-3009
メーカー型番:
IPD60R1K0PFD7SAUMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

4.7A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

600V

シリーズ

OptiMOS

パッケージ型式

PG-TO252-3

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

1Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-40°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

6nC

最大許容損失Pd

26W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

なし

Infineon 600 VクールMOS PFD7スーパージャンクションMOSFETは、消費者用途向けに提供するクールMOS 7を補完します。これらの製品には、頑丈なデバイスを実現する高速ボディダイオードが内蔵されています。高速ボディダイオード及びInfineonの業界をリードするSMDパック

BOMコスト削減と簡単な製造

頑丈性と信頼性

設計の細かい調整に適した部品を簡単に選択可能

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。


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