Infineon MOSFET, タイプPチャンネル, -40 V, -90 A, 4.7 mΩ, 118 nC, 3ピン, パッケージ:TO-252

ボリュームディスカウント対象商品
一括購入価格オプションを表示

1 袋(1袋2個入り) 小計:*

¥964

(税抜)

¥1,060

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 3,216 は海外在庫あり
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。

個
単価
購入単位毎合計*
2 - 48¥482.00¥964
50 - 498¥421.50¥843
500 - 998¥361.00¥722
1000 - 1998¥301.00¥602
2000 +¥241.50¥483

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
258-3869
メーカー型番:
IPD90P04P405ATMA2
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプP

最大連続ドレイン電流Id

-90A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

-40V

シリーズ

IPD

パッケージ型式

TO-252

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

4.7mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

118nC

順方向電圧 Vf

-1V

最大ゲートソース電圧Vgs

20V

最大許容損失Pd

125W

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

DIN IEC 68-1, RoHS

自動車規格

AEC-Q101

Infineon IPDシリーズMOSFET、最大ドレインソース電圧40V、最大消費電力125W - IPD90P04P405ATMA2


このMOSFETは、過酷な環境における表面実装用の電力スイッチング向けに設計されたPチャネル・エンハンスメントモードトランジスタです。幅広い温度範囲で動作し、低オン抵抗と堅牢なゲート処理が求められる高電流用途に適しています。このデバイスは、規制分野で使用するための自動車の信頼性規格および環境指令に適合しています。

特長および利点:


• 4.7mΩ RDS(on)により、伝導損失を低減し、効率性を向上
• 90Aの連続ドレイン電流により、高電流スイッチング負荷をサポート
• 118nC標準ゲート充電により、予測可能なスイッチング性能を実現
• 20Vの最大ゲート-ソース許容差により、柔軟なゲートドライブマージンを実現
• 125Wの消費電力により、コンパクトなアセンブリで高い電力を管理

用途


• 高電流DC配電段に最適
• AEC‐Q101 要件に適合する自動車用電源モジュールに最適
• 表面実装型電源設計でコンパクトなヒートシンクと併用
• 電源コンバータの同期スイッチングに使用可能

動作時にどの程度の温度範囲に耐えられますか?


-55°C~175°Cで動作し、幅広い熱環境での使用が可能です。

パッケージの選択は、組立にどのような影響を与えますか?


TO-252パッケージは、表面実装配置と基板実装への熱伝導を容易にします。

どのような規格および指令に適合していますか?


DIN IEC 68-1に準拠し、仕様書に記載されているRoHSに適合しています。

どのようなチャンネル特性がスイッチング動作を決定しますか?


このデバイスは、極性およびゲート駆動伝導動作を定義するP型強化モードです。

関連ページ

お得な情報をいち早く受け取ろう

Emailアドレス

お客様の個人情報は、当社のプライバシーポリシーに従って慎重に取り扱いを行います。