Infineon MOSFET, タイプPチャンネル, -40 V, -90 A, 4.30 mΩ, 135 nC, 3ピン, パッケージ:TO-252

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梱包形態
RS品番:
258-3871
メーカー型番:
IPD90P04P4L04ATMA2
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプP

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

-90A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

-40V

パッケージ型式

TO-252

シリーズ

IPD

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

4.30mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

-1V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

135nC

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

125W

最大ゲートソース電圧Vgs

5V

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

DIN IEC 68-1, RoHS

自動車規格

AEC-Q101

Infineon IPDシリーズMOSFET、最大ドレイン-ソース電圧-40V、最大消費電力125W - IPD90P04P4L04ATMA2


このMOSFETは、要求の厳しい電子システムにおける表面実装電力スイッチングおよび制御用に設計されたPチャンネル強化デバイスです。幅広い温度範囲で動作し、低導通損失と定義されたゲートドライブしきい値が求められる高電流用途に適しています。このデバイスは、エンジニアリングアセンブリで使用するための認定された環境および自動車ストレス規格に適合しています。

特長および利点:


• 低オン抵抗により、伝導損失を低減し、効率を向上
• 高い連続電流容量により、ヘビー負荷スイッチングをサポート
• 135 nCの標準ゲート電荷により、制御されたスイッチング動作を実現
• 125Wの最大許容電力損失により、継続的な電力処理に対応
• 広い動作温度範囲により、環境耐性を向上

用途


• 車両の高電流配電モジュールに最適
• 熱的に厳しい産業用電源コンバータに最適
• 5V対応を必要とするゲートドライブ回路で使用
• 表面実装基板レベルの電源スイッチングに使用可能
• RoHS準拠の自動車用電子アセンブリに最適

このデバイスと互換性のあるゲートドライブ電圧範囲は?


最大ゲート‐ソース電圧5Vに対応し、一般的なロジック‐レベルドライバに対応します。

このデバイスは極端な温度でどのように動作しますか?


-55°C~175°Cで動作するように設計されており、幅広い温度環境で使用できます。

組み立てにはどのようなパッケージと取り付け方法が用意されていますか?


このコンポーネントは、回路基板への表面実装用に構成されたTO‐252パッケージで提供されます。

どのような認証および環境基準に適合していますか?


DIN IEC 68‐1およびRoHS要件に適合し、車載用AEC‐Q101規格に適合しています。

設計者は安全に動作するために、どのような電気的制限を遵守する必要がありますか?


このデバイスの定格ドレインソース電圧は-40 V、連続ドレイン電流は-90 A、最大ゲート電荷は135 nCです。

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