Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 24 A N, 表面 パッケージTDSON, IPLK60R360PFD7ATMA1

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 袋(1袋2個入り) 小計：*

￥575.00

(税抜)

￥632.50

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 4,638 は 2025年12月29日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
購入単位毎合計*
2 - 98￥287.50￥575
100 - 998￥252.00￥504
1000 - 1998￥216.00￥432
2000 - 3998￥179.50￥359
4000 +￥143.50￥287

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
258-3887
メーカー型番:
IPLK60R360PFD7ATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

24A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

650V

シリーズ

IPL

パッケージ型式

TDSON

取付タイプ

表面

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

2.9mΩ

チャンネルモード

N

順方向電圧 Vf

1.2V

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

Infineon 600 V CoolMOS PFD7スーパージャンクションMOSFETは、消費者用途向けのCoolMOS 7を補完します。ThinPAK 5x6パッケージのCoolMOS PFD7スーパージャンクションMOSFETは、360 mOhmのRDS(on)を備え、スイッチング損失が低くなっています。このパッケージは、5 x 6 mm2の非常に小さなフットプリントと、高さ1 mmの非常に低いプロファイルを特徴としています。ベンチマークの低寄生性とともに、これらの機能により、フォームファクタが大幅に小さくなり、電力密度を向上させるのに役立ちます。CoolMOS PFD7製品には、高速ボディダイオードが搭載されており、堅牢なデバイスを実現し、お客様の素材費用を削減します。

堅牢な高速ボディダイオードを内蔵

最大2 kVのESD保護

優れた切り替え耐久性

低EMI

BOMコスト削減と簡単な製造

堅牢性と信頼性

設計の微調整に適した部品を簡単に選択可能

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。


関連ページ