Infineon MOSFET, タイプNチャンネル, 150 V, 224 A, 2.70 mΩ, パッケージ：TO-247

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RS品番:
258-3954
メーカー型番:
IRF150P220AKMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

224A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

150V

シリーズ

HEXFET

パッケージ型式

TO-247

取付タイプ

表面

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

2.70mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

1.2V

動作温度 Max

+175°C

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

なし

Infineon HEXFETシリーズMOSFET、150 Vドレイン-ソース電圧、224 A連続ドレイン電流 - IRF150P220AKMA1


このMOSFETは、要求の厳しいスイッチングおよび電力変換機能向けに設計された高出力強化モードNチャンネルトランジスタです。幅広い温度範囲で動作し、表面実装用にパッケージ化されており、電源アセンブリでの放熱と堅牢な取り扱いをサポートします。RoHS準拠により、制限物質への適合を必要とする環境に適しています。

特長および利点：


• 低オン抵抗により導通損失を低減し、効率を向上
• 高い連続電流容量により、ヘビー負荷スイッチングをサポート
• 150V の定格電圧により、高電圧電力段階を実現
• 幅広い温度耐性により、過酷な条件下でも動作可能
• 低順方向電圧により、ダイオード伝導時の電力損失を低減

用途


• 産業機器のモーター駆動インバータステージに最適
• 高電流DC-DCコンバータおよび電源に最適
• 電動トラクションシステムのブリッジトポロジーと併用
• 再生可能インバータの高出力スイッチングに使用可能
• 表面実装を必要とする堅牢な電源モジュールに最適

このデバイスのパッケージタイプと取り付け方向は何ですか?


表面実装アセンブリ用に構成されたTO-247パッケージで提供されます。

熱範囲は過酷な環境での展開にどのように影響しますか?


-55°C～+175°Cの定格動作範囲により、低温スタートアップと高温耐性の両方が求められる用途に使用できます。

どのようなチャンネル構成とゲートモードを使用しますか?


エンハンスメントモードで動作するNチャンネルデバイスで、一般的なローサイドおよびハイサイドスイッチ設計に適しています。

動作中のスイッチング損失を低減する電気的特性は?


最大2.70mΩのドレイン・ソース抵抗と1.2Vの順方向ダイオード電圧の組み合わせにより、大電流下での伝導損失と回復損失を低減します。

このデバイスは、制限物質要件に適合していますか?


はい、制限材料に関するRoHS要件に適合しています。

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