Infineon MOSFET, 150 V, 8.7 A, 80 mΩ, 13 nC, 5ピン, パッケージ：TO-220
- RS品番:
- 258-3974
- メーカー型番:
- IRFI4019H-117PXKMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
取扱終了
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- RS品番:
- 258-3974
- メーカー型番:
- IRFI4019H-117PXKMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 8.7A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 150V | |
| パッケージ型式 | TO-220 | |
| シリーズ | HEXFET | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 5 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 80mΩ | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 10V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 13nC | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 8.7A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 150V | ||
パッケージ型式 TO-220 | ||
シリーズ HEXFET | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 5 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 80mΩ | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 10V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 13nC | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 No | ||
自動車規格 なし | ||
InfineonデジタルオーディオMOSFETハーフブリッジは、クラスDオーディオアンプ用途向けに特別に設計されています。ハーフブリッジ構成で接続された2つのパワーMOSFETスイッチで構成されています。最新のプロセスは、シリコンエリアあたりの低オン抵抗を実現するために使用されます。さらに、ゲート充電、ボディダイオード逆回復、及び内部ゲート抵抗が最適化されており、効率、THD、EMIなどの主要なクラスDオーディオアンプ性能ファクタを向上させます。このハーフブリッジは、クラスDオーディオアンプ用途向けの高効率で堅牢で信頼性の高いデバイスです。
低RDS(on)
デュアルNチャンネルMOSFET
内蔵ハーフブリッジパッケージ
低Qrr
環境に優しい
高電力密度
内蔵設計
ボードの節約
低EMI
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