Infineon MOSFET, タイプNチャンネル, 100 V, 11 A, 72.50 mΩ, 12 nC, 5ピン, パッケージ:TO-220
- RS品番:
- 258-3978
- メーカー型番:
- IRFI4212H-117PXKMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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|---|---|---|
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- RS品番:
- 258-3978
- メーカー型番:
- IRFI4212H-117PXKMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 11A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 100V | |
| パッケージ型式 | TO-220 | |
| シリーズ | HEXFET | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 5 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 72.50mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 10V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 12nC | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 11A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 100V | ||
パッケージ型式 TO-220 | ||
シリーズ HEXFET | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 5 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 72.50mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 10V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 12nC | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
自動車規格 なし | ||
Infineon StrongIRFETパワーMOSFETファミリは、低RDS(on)及び高電流性能に最適化されています。このデバイスは、性能と堅牢性を必要とする低周波数用途に最適です。この包括的なポートフォリオは、DCモータ、バッテリ管理システム、インバータ、DC-DCコンバータなどの幅広い用途に対応しています。
内蔵ハーフブリッジパッケージ
高効率及びTHD
低EMI
環境に優しい
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