Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 200 V, 17 A, 表面 パッケージTO-252

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30000 - 38000￥80.653￥161,306
40000 +￥79.412￥158,824

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RS品番:
258-3979
メーカー型番:
IRFR15N20DTRPBF
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

17A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

200V

シリーズ

HEXFET

パッケージ型式

TO-252

取付タイプ

表面

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

165mΩ

最大ゲートソース電圧Vgs

30 V

最大許容損失Pd

140W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

27nC

順方向電圧 Vf

1.5V

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

なし

InfineonパワーMOSFETは、実績のあるシリコンプロセスを使用して設計者に幅広いデバイスを提供し、DCモータ、インバータ、SMPS、照明、負荷スイッチ、バッテリ駆動などのさまざまな用途をサポートします。このデバイスは、さまざまな表面実装及びスルーホールパッケージで提供され、業界標準のフットプリントで設計が簡単です。

幅広いSOAに対応する平面セル構造

ディストリビューションパートナーからの幅広い利用可能性に最適化

JEDEC規格に準拠した製品認定

堅牢性の向上

マルチベンダー互換性

業界標準の資格レベル

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