Infineon MOSFET, Nチャンネル, 30 V, 18 A, 4.8 mΩ, 17 nC, 8ピン, パッケージ:SO-8

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RS品番:
258-8204
メーカー型番:
IRF8736TRPBF
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

N

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

18A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

30V

パッケージ型式

SO-8

シリーズ

IRF8736

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

4.8mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

20V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

17nC

最大許容損失Pd

2.5W

順方向電圧 Vf

1V

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

なし

Infineon IRF8736シリーズMOSFET、最大ドレイン-ソース電圧30V、最大連続ドレイン電流18A - IRF8736TRPBF


このMOSFETは、コンパクトな表面実装アセンブリの低電圧スイッチングおよび電源管理向けのNチャンネル強化デバイスです。幅広い温度範囲で動作し、プリント基板実装用のSO-8パッケージで提供されます。この部品はRoHS指令に適合し、効率的な伝導と制御されたゲートドライブエネルギーを必要とする用途向けに設計されています。

特長および利点:


• 4.8 mΩ Rds(on)により、導通損失を低減し、効率を向上
• 17nCの標準ゲート充電により、予測可能なスイッチング速度を実現
• 低電圧電源スイッチング用途向けの30V Vds定格
• 18Aの連続ドレイン容量により、中程度の電流負荷に対応
• コンパクトなサーマルバジェット設計に対応する2.5Wの消費電力

用途


• 制御モジュールのDC電源スイッチングに使用
• 中電流のモータードライバステージに最適
• 限られたスペースでの高効率電力コンバーターに最適
• コンパクトアセンブリの負荷スイッチングに使用可能
• 最大20Vのゲート電圧を必要とするゲートドライバーと併用

どのようなゲート電圧制限を遵守する必要がありますか?


このデバイスは、ゲート-ソース間の20 Vの差動を超えてはならないため、ゲート過負荷を避けてください。

どのような動作温度に対応できますか?


-55°C~150°Cまでの幅広い熱環境で動作するように設計されています。

基板での熱放散はどのように考慮すべきですか?


最大消費電力は2.5Wで、ジャンクション温度を管理するための銅領域又はサーマルバイアスをレイアウトする必要があります。

このコンポーネントは、自動車規格の設計に適していますか?


自動車規格のデバイスとして分類されていませんが、RoHS要件に準拠しています。

どのようなパッケージと取付方式を使用していますか?


このトランジスタは、プリント基板アセンブリの表面実装用に設計されたSO-8パッケージで提供されます。

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