型番

Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 8 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSO-8

RS品番:: 273-2806
メーカー型番:: IRF7351TRPBF
メーカー/ブランド名:: インフィニオン

Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 8 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSO-8

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50 - 95	￥261.40	￥1,307
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500 - 1995	￥186.20	￥931
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RS品番:: 273-2806
メーカー型番:: IRF7351TRPBF
メーカー/ブランド名:: インフィニオン

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すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	インフィニオン
	プロダクトタイプ	MOSFET
	チャンネルタイプ	タイプN
	最大連続ドレイン電流Id	8A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	60V
	パッケージ型式	SO-8
	シリーズ	HEXFET
	取付タイプ	表面
	ピン数	8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	17.8mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	順方向電圧 Vf	1.3V
	動作温度 Min	-55°C
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	36nC
	最大許容損失Pd	2W
	動作温度 Max	150°C
	規格 / 承認	RoHS

	すべて選択
	ブランドインフィニオン
	プロダクトタイプ MOSFET
	チャンネルタイプタイプN
	最大連続ドレイン電流Id 8A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 60V
	パッケージ型式 SO-8
	シリーズ HEXFET
	取付タイプ表面
	ピン数 8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 17.8mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	順方向電圧 Vf 1.3V
	動作温度 Min -55°C
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 36nC
	最大許容損失Pd 2W
	動作温度 Max 150°C
	規格 / 承認 RoHS

Datasheet - IRF7351TRPBF

COO（原産国）:: PH

Infineon MOSFETは、60 V NチャンネルHEXFETパワーMOSFETです。このMOSFETは、低電力モータドライブシステム及び絶縁DC-DCコンバータに使用されます。

超低ゲートインピーダンス

20 V VGS最大ゲート定格

完全に特性化されたアバランシェ電圧と電流

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