Infineon MOSFET, Nチャンネル, 30 V, 100 A, 1.4 mΩ, 36 nC, 8ピン, パッケージ:TDSON

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RS品番:
906-4280
メーカー型番:
BSC011N03LSATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

N

最大連続ドレイン電流Id

100A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

30V

シリーズ

OptiMOS

パッケージ型式

TDSON

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

1.4mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

36nC

最大許容損失Pd

96W

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

1V

最大ゲートソース電圧Vgs

-20V, +20V

動作温度 Max

150°C

長さ

6.1mm

規格 / 承認

No

幅

5.35mm

高さ

1.1mm

自動車規格

なし

RoHSステータス: 対象外

インフィニオン OptiMOSシリーズMOSFET、最大ドレイン-ソース間電圧30V、最大連続ドレイン電流100A - BSC011N03LSATMA1


このMOSFETは、表面実装アセンブリにおける高電流・低電圧用途向けに設計された電力スイッチングデバイスです。広い周囲温度範囲で動作し、効率的な導通と高速スイッチングが求められる過酷な熱的・電気的環境向けに設計されています。

特長:


• 1.4 mΩの低オン抵抗により、導通損失を低減
• 100Aの高い連続ドレイン電流定格により、大負荷に対応
• 96Wの最大許容電力損失により、高い電力伝送に対応
• 1Vの低い順方向電圧により、変換効率を向上
• 36nCのゲート総電荷量により、高速なゲート遷移が可能
• 20Vの定格ゲート耐圧許容度により、ゲートへの過大ストレスを防止

用途


• サーバー向けの同期整流型バックコンバータに最適
• 高電流モーター駆動段階に最適
• 通信ラックの配電モジュールと併用
• インバータのDC-DC電源変換に使用可能
• バッテリ管理および充電システムに最適

設計者は、連続動作時にどのような熱的制限を考慮する必要がありますか?


このデバイスは、-55°C~150°Cの範囲で動作するように規定されているため、想定される消費電力下でジャンクション温度をこの範囲内に維持するよう、熱管理を行う必要があります。

ゲート電荷によって、必要な駆動条件はどのように変わりますか?


36nCのゲート総電荷量により、ゲートドライバは、所望のスイッチング速度を実現しながらスイッチング遷移損失を最小限に抑えるために、十分な電荷を迅速に供給する必要があります。

信頼性の高い動作のために、どのような実装上の注意点がありますか?


このコンポーネントは、6.1 x 5.35 mmの8ピンTDSON表面実装パッケージで提供されているため、プリント基板のランドパターンとはんだフィレットは、熱伝導と機械的安定性を確保できるようにする必要があります。

最大スイッチング電圧と最大スイッチング電流を規定する電気定格は何ですか?


このデバイスの最大ドレイン-ソース間電圧は30V、連続ドレイン電流定格は100Aです。

スイッチングトポロジは、これらの電気的限界値の範囲内に収める必要があります。

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