Infineon MOSFET, Nチャンネル, 30 V, 149 A, 2.50 mΩ, 8ピン, パッケージ:TSDSON
- RS品番:
- 259-1480
- メーカー型番:
- BSZ019N03LSATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 259-1480
- メーカー型番:
- BSZ019N03LSATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | N | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 149A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 30V | |
| シリーズ | BSZ | |
| パッケージ型式 | TSDSON | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 2.50mΩ | |
| チャンネルモード | N | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 動作温度 Max | +150°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ N | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 149A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 30V | ||
シリーズ BSZ | ||
パッケージ型式 TSDSON | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 2.50mΩ | ||
チャンネルモード N | ||
動作温度 Min -55°C | ||
動作温度 Max +150°C | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
自動車規格 なし | ||
Infineon BSZシリーズMOSFET、30 Vドレイン-ソース電圧、149 A連続ドレイン電流 - BSZ019N03LSATMA1
このMOSFETは、コンパクトなシステムでの高電流スイッチング向けに設計された表面実装Nチャンネルパワートランジスタです。広い熱範囲で動作し、スペースに制約のあるアセンブリに適した8ピンTSDSONパッケージで提供されます。このデバイスは、過酷な産業環境において低い導通損失と堅牢な耐熱性を必要とする用途向けに設計されています。
特長および利点:
• 2.50mΩ Rds(on)により、高電流動作時の導通損失を低減
• 連続ドレイン電流 149A により、高負荷スイッチングをサポート
• 30Vのドレイン・ソース定格により、低電圧電力変換が可能
• -55°C~+150°Cの範囲により、さまざまな温度で性能を維持
• 8ピンTSDSONフットプリントにより、コンパクトな表面実装が可能
• 連続ドレイン電流 149A により、高負荷スイッチングをサポート
• 30Vのドレイン・ソース定格により、低電圧電力変換が可能
• -55°C~+150°Cの範囲により、さまざまな温度で性能を維持
• 8ピンTSDSONフットプリントにより、コンパクトな表面実装が可能
用途
• 高電流DC-DCコンバータステージに最適
• 産業用コントローラーの配電に最適
• 低Rds(on)を必要とするモータードライブ回路で使用
• サーバー電源レールおよび負荷スイッチに使用可能
• コンパクトな電源管理モジュールに最適
• 産業用コントローラーの配電に最適
• 低Rds(on)を必要とするモータードライブ回路で使用
• サーバー電源レールおよび負荷スイッチに使用可能
• コンパクトな電源管理モジュールに最適
このデバイスはどのようなゲートチャンネルタイプを使用しますか?
ローサイドスイッチングに適したNチャンネル構成を採用しています。
組み立てにはどのような取り付けスタイルが必要ですか?
TSDSONはんだ付けプロセスと互換性のある表面実装配置が必要です。
このデバイスは自動車規格認定に適合していますか?
自動車規格認証に適合していないことが指定されています。
危険物質に関して、どのような環境認証が指定されていますか?
特定の有害物質を制限するRoHS指令に適合しています。
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