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製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	インフィニオン
	チャンネルタイプ	タイプN
	プロダクトタイプ	MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id	40A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	100V
	パッケージ型式	TSDSON-8 FL
	シリーズ	BSZ
	取付タイプ	表面
	ピン数	8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	20.8mΩ
	チャンネルモード	N
	動作温度 Min	-55°C
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	7.6nC
	最大許容損失Pd	52W
	最大ゲートソース電圧Vgs	20 V
	順方向電圧 Vf	1.1V
	動作温度 Max	150°C
	長さ	5.35mm
	規格 / 承認	No
	幅	6.1 mm
	高さ	1.2mm
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランドインフィニオン
	チャンネルタイプタイプN
	プロダクトタイプ MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id 40A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 100V
	パッケージ型式 TSDSON-8 FL
	シリーズ BSZ
	取付タイプ表面
	ピン数 8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 20.8mΩ
	チャンネルモード N
	動作温度 Min -55°C
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 7.6nC
	最大許容損失Pd 52W
	最大ゲートソース電圧Vgs 20 V
	順方向電圧 Vf 1.1V
	動作温度 Max 150°C
	長さ 5.35mm
	規格 / 承認 No
	幅 6.1 mm
	高さ 1.2mm
	自動車規格なし

Infineon OptiMOS ™ PD N チャネルパワー MOSFET は、 USB-PD 及びアダプタの用途に対応します。この製品は、高速ランプアップと最適化されたリードタイムを実現します。OptiMOS ™低電圧 MOSFET は、電力供給に適しており、部品数の少ない設計で BOM コストを削減し、小型軽量のパッケージに高品質の製品を搭載しています。40 A の最大連続ドレイン電流と 100 V の最大ドレインソース電圧を備えており、高周波スイッチングに最適で、充電器向けに最適化されています。

ロジックレベルの可用性

低オン抵抗（ RDS （ on ））

ゲート、出力、逆回復電荷量が低くなっています

優れた温度特性

アバランシェ100 %テスト済み

鉛フリーリードめっき

IEC61249-2-21 準拠のハロゲンフリー

RoHS対応

2 つの小型標準パッケージで提供されています

Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 40 A N, 表面, 8-Pin パッケージTSDSON-8 FL, BSZ0803LSATMA1

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