Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 40 V, 126 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージTSDSON, BSZ025N04LSATMA1

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梱包形態
RS品番:
214-8986
メーカー型番:
BSZ025N04LSATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

126A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

40V

パッケージ型式

TSDSON

シリーズ

OptiMOS

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

2.5mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

69W

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

37nC

順方向電圧 Vf

1V

動作温度 Max

150°C

長さ

5.35mm

高さ

1.2mm

幅

6.1 mm

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

Infineon 40 V 及び 60 V 製品は、業界最低レベルの R DS （ on ）と、高速スイッチング用途に最適なスイッチング動作を備えています。 先進の薄型ウェハ技術により、代替デバイスと比較して、 R DS （ on ） 15 % 低減と性能指数（ R DS （ on ） x Q g ） 31 % 低減を実現しています。クラス最高の性能により、効率性、電力密度、コスト効果が向上しています。

100%アバランチ試験済み

優れた熱抵抗

同期整流に最適化

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