Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 162 A P, 表面 パッケージTO-263, IPB026N10NF2SATMA1

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梱包形態
RS品番:
259-2581
メーカー型番:
IPB026N10NF2SATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

162A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

100V

パッケージ型式

TO-263

シリーズ

iPB

取付タイプ

表面

チャンネルモード

P

順方向電圧 Vf

1.2V

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

Infineon StrongIRFET 2パワーMOSFETは、SMPS、モータ駆動、バッテリ駆動、バッテリ管理、UPS、軽電気自動車などの幅広い用途に最適化されています。この新しいテクノロジーは、以前のStrongIRFETデバイスに比べて最大40 %のRDS(on)の改善と最大60 %のQgの低減を実現し、高い電力効率により全体的なシステムパフォーマンスを向上させます。定格電流の増加により、より高い電流伝送能力を実現し、複数のデバイスを並列化する必要がなくなります。これにより、BOMコストと基板の節約が低減されます。

ディストリビューションパートナーから幅広く利用可能

優れた価格 / 性能比

高 / 低スイッチング周波数に最適

業界標準のフットプリントスルーホールパッケージ

高定格電流

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