Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 80 V, 120 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-263, IPB120N08S403ATMA1
- RS品番:
- 214-4366
- メーカー型番:
- IPB120N08S403ATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 214-4366
- メーカー型番:
- IPB120N08S403ATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 120A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 80V | |
| シリーズ | OptiMOS -T2 | |
| パッケージ型式 | TO-263 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 2.5mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 順方向電圧 Vf | 1.3V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 128nC | |
| 最大許容損失Pd | 278W | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 長さ | 10.02mm | |
| 高さ | 4.5mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 120A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 80V | ||
シリーズ OptiMOS -T2 | ||
パッケージ型式 TO-263 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 2.5mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
順方向電圧 Vf 1.3V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 128nC | ||
最大許容損失Pd 278W | ||
動作温度 Min -55°C | ||
動作温度 Max 175°C | ||
長さ 10.02mm | ||
高さ 4.5mm | ||
規格 / 承認 No | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
Infineon の OptiMOS T2 MOSFET は、 100 % アバランシェテスト済みで、 RoHS に準拠しています。
これは AEC Q101 認定です
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