STMicroelectronics MOSFET, タイプNチャンネル 1200 V, 7 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージテープ及びリール

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 リール(1リール1000個入り) 小計：*

￥1,544,365.00

(税抜)

￥1,698,802.00

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
一時的に在庫切れ
  • 本日発注の場合は 2026年12月28日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
購入単位毎合計*
1000 - 1000￥1,544.365￥1,544,365
2000 - 9000￥1,521.653￥1,521,653
10000 - 14000￥1,498.943￥1,498,943
15000 - 19000￥1,476.231￥1,476,231
20000 +￥1,453.519￥1,453,519

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
261-5046
メーカー型番:
STH12N120K5-2AG
メーカー/ブランド名:
STMicroelectronics
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

STMicroelectronics

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

7A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

1200V

パッケージ型式

テープ及びリール

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

1.9Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

36nC

最大ゲートソース電圧Vgs

30 V

動作温度 Max

150°C

高さ

4.7mm

長さ

15.8mm

幅

10.4 mm

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

COO（原産国）:
CN
STMicroelectronicsの高電圧NチャンネルパワーMOSFETは、革新的な独自の垂直構造に基づいてMDmesh K5技術を使用して設計されています。これにより、優れた電力密度と高効率を必要とする用途において、オン抵抗と超低ゲート充電が劇的に削減されます。

AEC-Q101認定

業界最低のRDS(on) x エリア

業界最高の FoM (メリット数値)

超低ゲート充電

100 %アバランシェテスト済み

関連ページ