STMicroelectronics MOSFET, タイプNチャンネル 800 V, 10 A エンハンスメント型, 表面, 7-Pin パッケージテープ及びリール

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 リール(1リール600個入り) 小計：*

￥1,119,375.00

(税抜)

￥1,231,312.80

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
一時的に在庫切れ
  • 本日発注の場合は 2026年12月29日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
購入単位毎合計*
600 - 600￥1,865.625￥1,119,375
1200 - 5400￥1,838.19￥1,102,914
6000 - 8400￥1,810.753￥1,086,452
9000 - 11400￥1,783.318￥1,069,991
12000 +￥1,755.883￥1,053,530

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
261-5039
メーカー型番:
SCT040HU65G3AG
メーカー/ブランド名:
STMicroelectronics
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

STMicroelectronics

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

10A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

800V

パッケージ型式

テープ及びリール

取付タイプ

表面

ピン数

7

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

39.5nC

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

150°C

長さ

18.58mm

幅

14 mm

規格 / 承認

No

高さ

3.5mm

自動車規格

なし

COO（原産国）:
JP
STMicroelectronicsシリコンカーバイドパワーMOSFETデバイスは、STの先進的で革新的な3rd ジェネレーションSiC MOSFETテクノロジーです。このデバイスは、非常に低いRDS(on)を特長としています。 低静電容量と非常に高いスイッチング動作と組み合わせて、周波数、エネルギー効率、システムサイズ、重量の低減においてアプリケーションの性能を向上させます。

AEC-Q101認定

温度範囲全体で非常に低いRDS(on)

高速スイッチング性能

非常に高速で堅牢な本質的なボディダイオード

効率を向上させるソース検出ピン

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。


関連ページ