STMicroelectronics MOSFET, タイプNチャンネル 1200 V, 7 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージテープ及びリール, STH12N120K5-2AG

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梱包形態
RS品番:
261-5047
メーカー型番:
STH12N120K5-2AG
メーカー/ブランド名:
STMicroelectronics
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ブランド

STMicroelectronics

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

7A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

1200V

パッケージ型式

テープ及びリール

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

1.9Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

36nC

最大ゲートソース電圧Vgs

30 V

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

150°C

幅

10.4 mm

長さ

15.8mm

高さ

4.7mm

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

COO（原産国）:
CN
STMicroelectronicsの高電圧NチャンネルパワーMOSFETは、革新的な独自の垂直構造に基づいてMDmesh K5技術を使用して設計されています。これにより、優れた電力密度と高効率を必要とする用途において、オン抵抗と超低ゲート充電が劇的に削減されます。

AEC-Q101認定

業界最低のRDS(on) x エリア

業界最高の FoM (メリット数値)

超低ゲート充電

100 %アバランシェテスト済み

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