Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 190 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-263, IPB013N06NF2SATMA1

ボリュームディスカウント対象商品

1 袋(1袋2個入り) 小計:*

¥1,412.00

(税抜)

¥1,553.20

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 798 は海外在庫あり
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
単価
購入単位毎合計*
2 - 38¥706.00¥1,412
40 - 378¥630.50¥1,261
380 - 498¥553.00¥1,106
500 - 638¥478.00¥956
640 +¥400.50¥801

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
262-5848
メーカー型番:
IPB013N06NF2SATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

190A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

シリーズ

iPB

パッケージ型式

TO-263

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

1.15mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

Infineon Nチャンネルパワートランジスタは、幅広い用途に最適化されており、100 %アバランステスト済みです。

鉛フリーリードめっき

RoHS準拠

IEC61249-2-21に準拠したハロゲンフリー

関連ページ