Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 120 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-263, IPB029N06NF2SATMA1

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梱包形態
RS品番:
262-5859
メーカー型番:
IPB029N06NF2SATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

120A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

パッケージ型式

TO-263

シリーズ

iPB

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

1.15mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

Infineon Nチャンネルパワートランジスタは、幅広い用途に最適化されており、100 %アバランステスト済みです。

鉛フリーリードめっき

RoHS準拠

IEC61249-2-21に準拠したハロゲンフリー

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