Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 120 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-263, IPB029N06N3GATMA1

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梱包形態
RS品番:
914-0185
メーカー型番:
IPB029N06N3GATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

120A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

パッケージ型式

TO-263

シリーズ

OptiMOS 3

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

3.2mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

188W

順方向電圧 Vf

1.2V

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

124nC

動作温度 Max

175°C

高さ

4.57mm

幅

9.45 mm

長さ

10.31mm

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

RoHSステータス: 対象外

Infineon OptiMOS ™ 3 パワー MOSFET 、 60 ～ 80V


OptiMOS ™製品は、最も過酷な用途に応える高性能パッケージで提供されており、限られたスペースで最大限の柔軟性を発揮します。これらのInfineon製品は、コンピューティングアプリケーションにおける先進的な次世代の厳しい電圧調整規格のエネルギー効率と電力密度の要件を満たし、そして、上回るように設計されています。

SMPS 用の高速スイッチング MOSFET

DC/DCコンバータ用に最適化された技術

対象用途に対してJEDEC1に適合

Nチャンネル・ロジックレベル

優れたゲート電荷量 x R DS(on)製品(FOM)

超低オン抵抗 R DS(on)

鉛フリーめっき

MOSFETトランジスタ、Infineon


Infineonでは、CoolMOS、OptiMOS、StrongIRFETの各ファミリをはじめ、MOSFETデバイスの幅広く包括的な製品ラインを取り揃えています。効率、電力密度、及びコスト効果を高めるためにクラス最高の性能を実現しています。高い品質と強化された保護機能が求められる設計では、AEC-Q101車載用規格に適合するMOSFETが活用されます。

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