Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 30 V, 13 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSO-8
- RS品番:
- 262-6730
- メーカー型番:
- IRF7413ZTRPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- 262-6730
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- IRF7413ZTRPBF
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仕様
データシート
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 13A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 30V | |
| パッケージ型式 | SO-8 | |
| シリーズ | HEXFET | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 順方向電圧 Vf | 1.3V | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 13A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 30V | ||
パッケージ型式 SO-8 | ||
シリーズ HEXFET | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
順方向電圧 Vf 1.3V | ||
規格 / 承認 No | ||
自動車規格 なし | ||
InfineonパワーMOSFETは、アバランシェ電圧と電流を完全に特徴とする超低ゲートインピーダンスなどの利点を備えています。
非常に低いRDS(on)
100 % RGテスト済み
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