Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 6.9 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSO-8, IRF7473TRPBF
- RS品番:
- 262-6738
- メーカー型番:
- IRF7473TRPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
ボリュームディスカウント対象商品
1 袋(1袋10個入り) 小計：*
￥2,499.00
(税抜)
￥2,748.90
(税込)
￥3,000円を超える注文については、送料無料
一時的に在庫切れ
- 本日発注の場合は 2026年3月30日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 10 - 190 | ￥249.90 | ￥2,499 |
| 200 - 1890 | ￥220.10 | ￥2,201 |
| 1900 - 2490 | ￥191.30 | ￥1,913 |
| 2500 - 3190 | ￥161.50 | ￥1,615 |
| 3200 + | ￥131.50 | ￥1,315 |
* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。
- RS品番:
- 262-6738
- メーカー型番:
- IRF7473TRPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 6.9A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 100V | |
| シリーズ | HEXFET | |
| パッケージ型式 | SO-8 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 26mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 2.5W | |
| 順方向電圧 Vf | 1.3V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 61nC | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 高さ | 1.75mm | |
| 幅 | 4 mm | |
| 長さ | 5mm | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 6.9A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 100V | ||
シリーズ HEXFET | ||
パッケージ型式 SO-8 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 26mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 2.5W | ||
順方向電圧 Vf 1.3V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 61nC | ||
動作温度 Max 150°C | ||
高さ 1.75mm | ||
幅 4 mm | ||
長さ 5mm | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
自動車規格 なし | ||
InfineonパワーMOSFETは、ゲート充電特性の向上、アバランシェ頑丈性の向上、ダイナミックDVD/DT、完全特性のアバランシェ電圧及び電流などの利点を備えています。
超低オン抵抗
高速スイッチング