Infineon MOSFET, Nチャンネル, 60 V, 8 A, 17.8 mΩ, 36 nC, 8ピン, パッケージ：SO-8

RS品番:: 273-2805
メーカー型番:: IRF7351TRPBF
メーカー/ブランド名:: インフィニオン

Infineon MOSFET, Nチャンネル, 60 V, 8 A, 17.8 mΩ, 36 nC, 8ピン, パッケージ：SO-8

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RS品番:: 273-2805
メーカー型番:: IRF7351TRPBF
メーカー/ブランド名:: インフィニオン

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詳細情報

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すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	インフィニオン
	チャンネルタイプ	N
	プロダクトタイプ	MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id	8A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	60V
	パッケージ型式	SO-8
	シリーズ	HEXFET
	取付タイプ	表面
	ピン数	8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	17.8mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	動作温度 Min	-55°C
	最大許容損失Pd	2W
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	36nC
	最大ゲートソース電圧Vgs	20V
	順方向電圧 Vf	1.3V
	動作温度 Max	150°C
	規格 / 承認	RoHS

	すべて選択
	ブランドインフィニオン
	チャンネルタイプ N
	プロダクトタイプ MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id 8A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 60V
	パッケージ型式 SO-8
	シリーズ HEXFET
	取付タイプ表面
	ピン数 8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 17.8mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	動作温度 Min -55°C
	最大許容損失Pd 2W
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 36nC
	最大ゲートソース電圧Vgs 20V
	順方向電圧 Vf 1.3V
	動作温度 Max 150°C
	規格 / 承認 RoHS

Datasheet - IRF7351TRPBF

COO（原産国）:: PH

Infineon HEXFETシリーズMOSFET、最大ドレイン-ソース電圧60V、最大連続ドレイン電流8A - IRF7351TRPBF

このMOSFETは、コンパクトアセンブリの表面実装電源スイッチングおよび制御用に設計されたNチャンネル強化デバイスです。過酷な環境に適した幅広い温度範囲で動作し、自動組立プロセス向けのSO-8パッケージで提供されます。

特長および利点：

• 17.8 mΩ Rds(on)により、高電流スイッチングの導通損失を低減
• 60V Vdsにより、中電圧電力段での動作が可能
• 8A IDにより、大幅な連続電流供給をサポート
• 36nC Qgにより、ドライブ回路設計のスイッチング制御を向上
• 2W Pdにより、限られたプリント基板レイアウトでの熱ストレスを制限

用途

• 高電流SMDパワーステージに最適
• 自動車用電子機器の過酷な動作環境に最適
• コンパクトモータドライバモジュールと併用
• DC-DCコンバータの出力段に使用可能
• 表面実装型の負荷スイッチ実装に最適

どのようなゲート電圧制限を遵守する必要がありますか?

損傷を防止するため、ゲートはソースに対して20Vを超えてはなりません。

熱範囲は、配置選択にどのように影響しますか?

このデバイスは-55°C～150°Cで動作し、幅広い温度環境で使用できます。

このコンポーネントにはどのような実装方式が必要ですか？

自動はんだ付け用のSO-8フットプリントで表面実装を目的としています。

どのようなチャンネル伝導モードが実装されていますか?

このトランジスタは、Nタイプチャンネル伝導により強化モードで動作します。