Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 6.9 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSO-8

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RS品番:
262-6737
メーカー型番:
IRF7473TRPBF
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

6.9A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

100V

パッケージ型式

SO-8

シリーズ

HEXFET

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

26mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

1.3V

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

2.5W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

61nC

動作温度 Max

150°C

長さ

5mm

高さ

1.75mm

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

なし

InfineonパワーMOSFETは、ゲート充電特性の向上、アバランシェ頑丈性の向上、ダイナミックDVD/DT、完全特性のアバランシェ電圧及び電流などの利点を備えています。

超低オン抵抗

高速スイッチング

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