Infineon MOSFET, タイプPチャンネル, -30 V, -3.6 A, 150 mΩ, 20 nC, 8ピン, パッケージ：SOIC
- RS品番:
- 262-6742
- メーカー型番:
- IRF7606TRPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 262-6742
- メーカー型番:
- IRF7606TRPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプP | |
| 最大連続ドレイン電流Id | -3.6A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | -30V | |
| シリーズ | HEXFET | |
| パッケージ型式 | SOIC | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 150mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 20nC | |
| 最大許容損失Pd | 1.8W | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20V | |
| 順方向電圧 Vf | -1.2V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプP | ||
最大連続ドレイン電流Id -3.6A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds -30V | ||
シリーズ HEXFET | ||
パッケージ型式 SOIC | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 150mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 20nC | ||
最大許容損失Pd 1.8W | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20V | ||
順方向電圧 Vf -1.2V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
自動車規格 なし | ||
InfineonパワーMOSFETは、スイッチング損失を軽減するための低ゲートドレイン充電を備えています。高周波DC-DCコンバータとの併用に適しています。
完全に特性化されたアバランシェ電圧及び電流
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